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固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
而硅MOSFET和IGBT的驱动电压为10至15 V。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。从而实现高功率和高压SSR。（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，
SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。
此外，（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，是交流还是直流？通过隔离栅传递的控制信号强度必须足以可靠地触发功率半导体开关。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，模块化部分和接收器或解调器部分。涵盖白色家电、两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。可用于创建自定义 SSR。以满足各种应用和作环境的特定需求。通风和空调 （HVAC） 设备、支持隔离以保护系统运行，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，
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